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【2h】

Analysis of reaction between c+a and -c+a dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice by transmission electron microscopy

机译：用透射电子显微镜分析在alGaN / alN应变层超晶格的4英寸si（111）衬底上生长的GaN层中c + a和-c + a位错之间的反应

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Yoshihiro Sugawara; Yukari Ishikawa; Arata Watanabe; Makoto Miyoshi; Takashi Egawa;
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年度 2016
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